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韩媒称三星未定2nm投资计划,赶超台积电难度大0b2

原标题:韩媒称三星未定2nm投资计划,赶超台积电难度大

芯东西(公众号:aichip001)

编译 | 杨畅

编辑 | Panken

芯东西7月30日消息,据韩国媒体Businesskorea报道,三星在芯片先进制程方面赶超台积电的难度可能增大。台积电已计划明年开始生产2nm芯片,而三星目前的规划是明年大规模量产3nm GAA芯片,其2nm芯片生产计划尚未提上日程。

三星虽然已经开发出了2nm芯片,但尚未敲定投资计划。三星曾透露:“我们计划明年制造3nm GAA产品,并在2023年制造更先进的3nm GAA产品。”

今年5月,该公司曾宣布将投资170亿美元(约1098亿人民币)在美国建造能生产3nm的芯片代工厂,但目前三星还在考虑其工厂的具体选址。

对比来看,中国台湾环境影响评估审查委员会在本周三批准了台积电2nm芯片新厂建设。该新厂预计占地50英亩(约20公顷),将建在新竹工业园区,计划在2024年实现商业化量产。除了在本地建新厂,台积电也在考虑明年在美国亚利桑那州建设芯片厂,来生产3nm和4nm芯片。

一位业内人士称:“台积电在5nm和7nm芯片工艺技术商业化方面已经超过了三星,随着台积电生产更多先进制程芯片和提高资本支出,这一差距正在扩大。台积电还在台湾建设测试生产设施,以确保一定每股收益水平的2nm良率。”

英特尔在本周二宣布将分别在2024年和2025年达到Intel 20A和Intel 18A节点。该公司在3月曾宣布重新进入全球芯片代工市场,其精密加工工艺技术当前在7nm阶段。

韩媒Businesskorea认为,三星正陷入夹在台积电和英特尔之间的两难困境。

结语:芯片代工持续先进制程之争

作为芯片代工厂的龙头,台积电和三星一直在持续竞争,从2019年、2020年先后快速采用EUV光刻技术来突破7nm工艺,在2020年均实现量产5nm芯片,然后都开始计划量产3nm芯片。

为了保持其市场优势和市场占有率,芯片代工厂一边忙着扩增成熟制程工艺的产能,一边忙着推动先进制程工艺升级和投产,竞争激烈。

来源:Businesskorea

浏览次数: 更新时间:2016-03-25 14:31:49
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